[发明专利]采用高密度且可缩放的字线设计方法的三维存储单元阵列

摘要

描述了一种设备。所述设备包括三维存储单元阵列结构。所述设备还包括具有交替的导电层和电介质层的楼梯结构，其中在导电层中形成相应的字线。字线被连接到三维存储单元阵列结构内的相应的存储单元。所述设备还包括楼梯结构上方的、被连接到第一通路的上部字线，所述第一通路连接到楼梯结构的相应的台阶。上部字线还被连接到第二通路，所述第二通路从与三维存储单元阵列结构对面的侧面不同的楼梯结构的侧面垂直延伸下来。第二通路被连接到布置在楼梯结构下方的相应的字线驱动器晶体管。

主权项

1.一种设备，所述设备包括：三维存储单元阵列结构；楼梯结构，所述楼梯结构包括交替的导电层和电介质层，其中在所述导电层中形成相应的字线，所述字线被连接到所述三维存储单元阵列结构内的相应的存储单元；以及所述楼梯结构上方的上部字线，所述上部字线被连接到第一通路，所述第一通路连接到所述楼梯结构的相应的台阶，所述上部字线还被连接到从与所述三维存储单元阵列结构对面的侧面不同的所述楼梯结构的侧面垂直延伸下来的第二通路，所述第二通路被连接到布置在所述楼梯结构下方的相应的字线驱动器晶体管。