[发明专利]成像装置和电子装置有效
申请号: | 201780014844.3 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108738370B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 朝妻智彦;石田実 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00;H04N5/355;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本技术涉及成像装置和能扩展成像装置的动态范围而不会使图像品质劣化的电子装置。本技术提供了:第一光电转换单元;第二光电转换单元,其每单位时间要转换的电荷量比第一光电转换单元的少;电荷累积单元,其被配置成累积由第二光电转换单元产生的电荷;电荷电压转换单元;第一传输门单元,其被配置成将电荷从第一光电转换单元传输到电荷电压转换单元;第二传输门单元,其被配置成耦合电荷电压转换单元和电荷累积单元的电位;第三传输门单元,其被配置成将电荷从第二光电转换单元传输到电荷累积单元;溢出路径,其形成在第三传输门单元的门电极下方,并且被配置成将从第二光电转换单元溢出的电荷传输到电荷累积单元;和减光单元,其被配置成减少光进入第二光电转换单元。本技术可应用于例如成像装置。 | ||
搜索关键词: | 成像 装置 电子 | ||
【主权项】:
1.一种成像装置,其包括:第一光电转换单元;第二光电转换单元,所述第二光电转换单元每单位时间要转换的电荷量比所述第一光电转换单元的少;电荷累积单元,所述电荷累积单元被配置成累积由所述第二光电转换单元产生的电荷;电荷电压转换单元;第一传输门单元,所述第一传输门单元被配置成将电荷从所述第一光电转换单元传输到所述电荷电压转换单元;第二传输门单元,所述第二传输门单元被配置成耦合所述电荷电压转换单元和所述电荷累积单元的电位;第三传输门单元,所述第三传输门单元被配置成将电荷从所述第二光电转换单元传输到所述电荷累积单元;溢出路径,所述溢出路径形成在所述第三传输门单元的门电极下方,并且被配置成将从所述第二光电转换单元溢出的电荷传输到所述电荷累积单元;和减光单元,所述减光单元被配置成减少光进入所述第二光电转换单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的