[发明专利]导电结构、包括导电结构的系统及装置以及相关方法有效
| 申请号： | 201780014885.2 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN108701649B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | P·泰萨里欧;G·R·沃斯滕霍姆;A·叶 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 导电结构包含：阶梯结构，其沿所述导电结构的长度定位；及至少一个平台，其包括延伸穿过所述导电结构的至少一个通路。所述至少一个平台定位于所述阶梯结构中的第一阶梯结构与所述阶梯结构中的第二阶梯结构之间。装置可包含此类导电结构。系统可包含半导体装置及通过至少一个平台分离的阶梯结构，所述至少一个平台具有形成于所述至少一个平台中的至少一个通路。形成导电结构的方法包含形成穿过定位于阶梯结构之间的平台的至少一个通路。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 包括 系统 装置 以及 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电结构，其包括：阶梯结构，其沿所述导电结构的长度定位，每一阶梯结构包括至少两个导电台阶，所述至少两个导电台阶中的每一导电台阶通过绝缘材料与所述至少两个导电台阶中的相邻导电台阶至少部分地分离；至少一个平台，其包括延伸穿过所述导电结构的至少一个通路，所述至少一个平台定位于所述阶梯结构中的第一阶梯结构与所述阶梯结构中的第二阶梯结构之间，所述第二阶梯结构定位为与所述第一阶梯结构相邻；及存取线，每一存取线从所述阶梯结构的所述至少两个导电台阶中的一个导电台阶的导电部分延伸到所述至少一个通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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