[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模在审

专利信息
申请号: 201780016032.2 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN108713244A 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 水村通伸 申请(专利权)人: 株式会社V技术
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786
代理公司: 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 代理人: 陈琳琳;杨青
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模,所述薄膜晶体管的制造方法包含对成膜于基板上的非晶硅膜(8)照射激光的处理,其包含:激光退火工序,对所述非晶硅膜(8)中包含沟道区域(52)的形成区域的区域照射所述激光,使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化,由此形成包含所述沟道区域(52)的多晶硅膜(9);以及将所述多晶硅膜(9)中的所述沟道区域(52)以外的区域通过蚀刻除去的工序。由此,本发明即使在限定激光的照射条件的状况下,也能够进一步促进非晶硅膜(8)的再结晶化,能够进一步提高移动度。
搜索关键词: 薄膜晶体管 非晶硅膜 沟道区域 制造 激光 多晶硅膜 再结晶 蚀刻 激光退火 区域加热 区域照射 照射条件 移动度 成膜 基板 熔融 掩模 照射
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,包含对成膜于基板上的非晶硅膜照射激光的处理,其特征在于,包含:激光退火工序,对所述非晶硅膜中包含沟道区域的形成区域的区域照射所述激光,使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化,由此形成包含所述沟道区域的多晶硅膜;将所述多晶硅膜中的所述沟道区域以外的区域通过蚀刻除去的工序。
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