[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模在审
申请号: | 201780016032.2 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN108713244A | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;杨青 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模,所述薄膜晶体管的制造方法包含对成膜于基板上的非晶硅膜(8)照射激光的处理,其包含:激光退火工序,对所述非晶硅膜(8)中包含沟道区域(52)的形成区域的区域照射所述激光,使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化,由此形成包含所述沟道区域(52)的多晶硅膜(9);以及将所述多晶硅膜(9)中的所述沟道区域(52)以外的区域通过蚀刻除去的工序。由此,本发明即使在限定激光的照射条件的状况下,也能够进一步促进非晶硅膜(8)的再结晶化,能够进一步提高移动度。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 非晶硅膜 沟道区域 制造 激光 多晶硅膜 再结晶 蚀刻 激光退火 区域加热 区域照射 照射条件 移动度 成膜 基板 熔融 掩模 照射 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管的制造方法,包含对成膜于基板上的非晶硅膜照射激光的处理,其特征在于,包含:激光退火工序,对所述非晶硅膜中包含沟道区域的形成区域的区域照射所述激光,使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化,由此形成包含所述沟道区域的多晶硅膜;将所述多晶硅膜中的所述沟道区域以外的区域通过蚀刻除去的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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