[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片有效
| 申请号： | 201780018817.3 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108884244B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 山本大辅;稻男洋一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;B32B7/025;B32B27/18;C09J7/10;H01L21/301;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供可防止半导体芯片带电的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。所述保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在照射能量射线而使所述保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为10 |
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| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 | ||
【主权项】：
1.一种保护膜形成用膜，其为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在照射能量射线而使所述保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为1012Ω·cm以下。
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