[发明专利]基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质有效
申请号: | 201780020430.1 | 申请日: | 2017-02-09 |
公开(公告)号: | CN108885988B | 公开(公告)日: | 2023-09-01 |
发明(设计)人: | 佐藤秀明;金振铉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜,精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中,其中,上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部,上述基片液处理方法包括:第一覆膜除去步骤,其使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率,在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜;和第二覆膜除去步骤,其使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率,在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。 | ||
搜索关键词: | 基片液 处理 装置 方法 存储 有基片液 程序 计算机 可读 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基片液处理方法,其使形成有覆膜的基片的表面与用于除去所述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理,其中,所述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部,所述基片液处理方法的特征在于,包括:第一覆膜除去步骤,使所述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率,在第一处理时间中除去所述凹部外部的所述覆膜;和第二覆膜除去步骤,使所述蚀刻液成为第二温度以使得成为比所述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率,在第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并除去所述凹部外部的所述覆膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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