[发明专利]通过粘合剂转移制备电子电路在审
申请号: | 201780023695.7 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN109076703A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 约翰·D·李;摩西·M·戴维;杰弗里·W·麦卡琴;洪·T·陈 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H05K3/12 | 分类号: | H05K3/12;H05K3/14;H05K3/00;H05K3/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 孙微;金小芳 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过将电子电路元件粘合剂转移到粘合剂的表面来制备包括电子电路的多层制品。使用多种不同的方法,其中所有方法都包括在释放基材上使用单一层的电路形成材料,并且进行结构化以生成可转移到粘合剂表面的电路元件。在一些方法中,使用结构化释放基材来选择性地转移来自释放基材上的突出部或来自释放基材上的凹陷部的电路形成材料。在其它方法中,使用非结构化释放基材,并且进行压印以形成结构化释放基材或者与结构化粘合剂层接触以选择性地转移电路形成材料。 | ||
搜索关键词: | 基材 释放 结构化释放 粘合剂转移 电路形成 电子电路 制备 结构化粘合剂层 电子电路元件 粘合剂表面 电路元件 多层制品 非结构化 形成材料 转移电路 粘合剂 凹陷部 单一层 结构化 可转移 突出部 压印 | ||
【主权项】:
1.一种在表面上制备电子电路的方法,包括:提供结构化释放基材,所述结构化释放基材在所述释放基材的表面上包括一系列突出部和凹陷部,并且在所述释放基材的表面上具有氟化释放层,其中所述氟化释放层包括通过等离子体沉积制备的释放表面;在所述结构化释放基材的所述表面上的所述释放层上制备电路形成材料的层;提供粘合剂层;将所述粘合剂层与在所述结构化释放基材的突出部上的所述电路形成材料接触;以及将所述粘合剂层从所述结构化释放基材的所述表面去除,使得在去除之后所述结构化释放基材的所述突出部上的所述电路形成材料的至少一部分至少部分地粘附到所述粘合剂层的表面以形成在其上具有电子电路的粘合剂表面。
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