[发明专利]加压装置及加压方法有效
申请号: | 201780024998.0 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN109075087B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 森隆博;井出迫聪 | 申请(专利权)人: | 日机装株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 日本国东京都涉*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种加压装置,包括:载置被加工物100的载置台12、从上侧对被载置于载置台12的被加工物100进行加压的上模具20、预先被加热装置加热且藉由与上模具20一起夹持载置台12以一边对被加工物100进行加压、一边进行加热的加热用下模具50、预先被冷却装置冷却且藉由与上模具20一起夹持载置台12以一边对被加工物100进行加压、一边进行冷却的冷却用下模具52、以及控制模具驱动并视被加工物100的加压处理的进行状况将有助于对被加工物100加压的下模具20切换为加热用下模具50或冷却用下模具52的控制单元18。 | ||
搜索关键词: | 加压 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种加压装置,其特征在于,包括:载置台,供载置被加工物;上模具,从上侧对被载置于所述载置台的所述被加工物进行加压;加热用下模具,预先被加热装置加热,与所述上模具一起夹持所述载置台以一边对所述被加工物进行加压、一边进行加热;冷却用下模具,预先被冷却装置冷却,与所述上模具一起夹持所述载置台以一边对所述被加工物进行加压、一边进行冷却;以及控制单元,控制所述模具的驱动,视所述被加工物的加压处理的进行状况,将有助于对所述被加工物加压的下模具切换为所述加热用下模具或冷却用下模具。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日机装株式会社,未经日机装株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780024998.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置、功率模块及其制造方法
- 下一篇:半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造