[发明专利]基板处理装置、排出方法以及程序有效
| 申请号： | 201780026476.4 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109075053B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 丰村直树;今村听 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，具备：第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从气体供给源供给的气体的流路；第二阀，开关从气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及控制部，控制第一阀和第二阀，气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，控制部以从成为第一阀打开并且无法从气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭第一阀，在关闭第一阀之后关闭第二阀的方式进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 气水分离 排出口 气体供给源 流路 基板处理装置 气体供给 清洗基板 阀打开 清洗室 水分离 状态时 槽排 排出 连通 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具备：/n第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从上述气体供给源供给的气体的流路；/n第二阀，开关从上述气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及/n控制部，控制上述第一阀和上述第二阀，/n上述气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，/n上述控制部以从成为上述第一阀打开并且无法从上述气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭上述第一阀，在关闭上述第一阀之后关闭上述第二阀的方式进行控制。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社荏原制作所，未经株式会社荏原制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780026476.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
