[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法有效

专利信息
申请号: 201780026812.5 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN109075752B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 加贺野未来;尾込智和 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03F3/343 分类号: H03F3/343;G05F3/26;G07D7/00;H03K17/687
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈力奕;胡秋瑾
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 偏置电流电路(116)包括:将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202);及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括:将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205);及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子,将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。
搜索关键词: 偏置 电流 电路 信号 处理 装置 控制 方法
【主权项】:
1.一种偏置电流电路,其特征在于,包括:将电流源连接到漏极端子及栅极端子的第1场效应晶体管;将提供偏置电流的电子电路连接到漏极端子的第2场效应晶体管;连接在所述第1场效应晶体管的栅极端子与所述第2场效应晶体管的栅极端子之间的第1开关元件;及连接在所述第2场效应晶体管的栅极端子与源极端子之间的第2开关元件,对所述第1开关元件的控制端子输入根据是否提供所述偏置电流来进行切换的控制信号,对所述第2开关元件的控制端子输入所述控制信号的反转信号,基于所述控制信号,在对所述电子电路提供所述偏置电流时,使所述第1开关元件导通,使所述第2开关元件不导通,在对所述电子电路停止所述偏置电流时,使所述第1开关元件不导通,使所述第2开关元件导通。
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