[发明专利]中子照射硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201780027040.7 | 申请日： | 2017-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN109072477B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 早川裕 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在通过对所培育的硅单晶(C)的锭(I)在固有条件下照射中子并掺杂磷而制造规定电阻率的硅单晶的方法中，在算出用于得到前述规定电阻率的目标中子照射量时，在前述固有条件下，对每个硅单晶设定中子照射量不同的多个中子照射量并照射中子，测定针对各中子照射量而得到的多个前述掺杂的硅单晶的电阻率，预先求出表示前述中子照射量与前述电阻率的关系的标准曲线，将利用前述标准曲线而得到的使电阻率达到前述规定电阻率的中子照射量设为前述目标中子照射量。 | ||
| 搜索关键词： | 中子 照射 硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.中子照射硅单晶的制造方法，在通过对所培育的硅单晶的锭在固有条件下照射中子并掺杂磷而制造规定电阻率的硅单晶的方法中，在算出用于得到所述规定电阻率的目标中子照射量时，在所述固有条件下，对每个硅单晶设定中子照射量不同的多个中子照射量并照射中子，测定针对各中子照射量而得到的多个所述掺杂的硅单晶的电阻率，预先求出表示所述中子照射量与所述电阻率的关系的标准曲线，将利用所述标准曲线而得到的使电阻率达到所述规定电阻率的中子照射量设为所述目标中子照射量。
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