[发明专利]使用多级DDR系统中的基于业务的自刷新来进行周期性ZQ校准有效
| 申请号： | 201780030333.0 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN109155139B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王力永 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C29/02;G11C29/12;G11C11/406;G11C11/4093;G11C29/50;G06F13/16;H04L25/02;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据各种方面，一种存储器控制器可调度ZQ命令来周期性地校准多级存储器中的个别存储器级。所述存储器控制器可在每一ZQ间隔调度ZQ短命令，且记录所述ZQ短命令在所述ZQ间隔相对于处于自刷新模式的存储器级未命中。在所述未命中的ZQ短命令达到第一阈值之后，可在所述下一ZQ间隔调度ZQ长命令，且假如所述存储器级退出所述自刷新模式且执行所述ZQ长命令，那么正常ZQ行为可恢复。然而，如果所述存储器级保持在所述自刷新模式，直到未命中的ZQ长命令达到第二阈值为止，那么一旦所述存储器级退出所述自刷新模式，所述存储器控制器就可触发ZQ长命令，且在恢复正常ZQ行为之前跳过下一ZQ校准。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 多级 ddr 系统 中的 基于 业务 刷新 进行 周期性 zq 校准 | ||
【主权项】：
1.一种用于存储器校准的方法，其包括：调度ZQ校准短ZQCS命令来根据ZQ间隔校准多级双数据速率DDR存储器系统；响应于确定动态随机存取存储器DRAM级在所述ZQ间隔处于自刷新模式，记录多级DDR存储器系统中的所述DRAM级未命中所述ZQCS命令；以及至少部分地基于在所述DRAM级处于所述自刷新模式时未命中的某一数目的ZQCS命令，在退出所述自刷新模式之后，调度ZQ命令来校准所述DRAM级。
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