[发明专利]覆盖有硅的金属微粒、覆盖有硅化合物的金属微粒及其制造方法有效
| 申请号： | 201780033183.9 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN109195915B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 榎村真一;本田大介 | 申请（专利权）人： | M技术株式会社 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C01B13/14;C01G49/06;C09C1/24;C09C3/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及覆盖有硅的金属微粒，其为包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅覆盖而成的覆盖有硅的金属微粒，其特征在于，上述覆盖有硅的金属微粒是将含有该金属微粒前体的前体微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的前体微粒、或含有该金属微粒前体的掺硅前体微粒进行还原处理而得到的。通过控制上述还原处理的条件，特别是能够严密地控制覆盖有硅化合物的金属微粒的粒径，因此，能够针对覆盖有硅化合物的金属微粒的多样化用途和目标特性，与以往相比容易地设计更准确的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 金属 微粒 化合物 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.覆盖有硅的金属微粒，其为包含至少1种金属元素或半金属元素的金属微粒的表面的至少一部分被硅覆盖而成的覆盖有硅的金属微粒，其特征在于，上述覆盖有硅的金属微粒是将含有该金属微粒前体的前体微粒的表面的至少一部分被硅化合物覆盖而成的覆盖有硅化合物的前体微粒、或含有该金属微粒前体的掺硅前体微粒进行还原处理而得到的。
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