[发明专利]块交叉耦合的高密度功率供应去耦电容器

摘要

在本公开的一方面，提供了一种用于使用块交叉耦合的薄氧化物去耦电容器的MOS器件。MOS器件包括pMOS晶体管(202)和nMOS晶体管(204)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第一晶体管体部连接集合。第一晶体管体部连接集合将第一电压源(Vdd)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第一晶体管体部连接集合还将第二电压源(Vss)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。MOS器件包括与pMOS晶体管和nMOS晶体管相邻的第二晶体管体部连接集合。第二晶体管体部连接集合将nMOS晶体管栅极(204g)耦合到pMOS晶体管体部(202b)。第二晶体管体部连接集合还将pMOS晶体管栅极(202g)耦合到nMOS晶体管体部(204b)。

主权项

1.一种金属氧化物半导体(MOS)器件，包括：p‑型MOS(pMOS)晶体管，具有pMOS晶体管栅极、pMOS晶体管源极、pMOS晶体管漏极和pMOS晶体管体部，所述pMOS晶体管源极耦合到所述pMOS晶体管漏极和第一电压源；n‑型MOS(nMOS)晶体管，具有nMOS晶体管栅极、nMOS晶体管源极、nMOS晶体管漏极和nMOS晶体管体部，所述nMOS晶体管源极耦合到所述nMOS晶体管漏极和小于所述第一电压源的第二电压源；第一晶体管体部连接集合，与所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管相邻，所述第一晶体管体部连接集合将所述第一电压源耦合到所述pMOS晶体管体部，所述第一晶体管体部连接集合还将所述第二电压源耦合到所述nMOS晶体管体部；以及第二晶体管体部连接集合，与所述pMOS晶体管和所述nMOS晶体管相邻，所述第二晶体管体部连接集合将所述nMOS晶体管栅极耦合到所述pMOS晶体管体部，所述第二晶体管体部连接集合还将所述pMOS晶体管栅极耦合到所述nMOS晶体管体部。