[发明专利]存储器电路及形成垂直存储器单元串及导电通路的方法有效
| 申请号： | 201780033665.4 | 申请日： | 2017-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN109314119B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌;古尔特杰·S·桑胡;库纳尔·R·帕雷克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在形成垂直存储器单元串及导电通路时使用的方法包括向下部材料中形成第一下部开口及第二下部开口。在所述第一下部开口及所述第二下部开口内形成第一材料。在所述下部材料上方且在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的所述第一材料上方形成上部材料。穿过所述上部材料形成通向所述第一下部开口中的所述第一材料的第一上部开口。通过所述第一上部开口从所述第一下部开口移除至少大部分所述第一材料，且在所述第一下部开口及所述第一上部开口内为正形成的所述垂直存储器单元串形成沟道材料。在形成所述沟道材料之后，穿过所述上部材料形成通向所述第二下部开口中的所述第一材料的第二上部开口。在所述第二上部开口内形成所述导电通路的导电材料。还揭示独立于形成方法的结构实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 电路 形成 垂直 单元 导电 通路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在形成垂直存储器单元串及导电通路时使用的方法，其包括：向下部材料中形成第一下部开口及第二下部开口；在所述第一下部开口及所述第二下部开口内形成第一材料；在所述下部材料上方且在所述第一下部开口及所述第二下部开口中的所述第一材料上方形成上部材料；穿过所述上部材料形成通向所述第一下部开口中的所述第一材料的第一上部开口；通过所述第一上部开口从所述第一下部开口移除至少大部分所述第一材料，且在所述第一下部开口及所述第一上部开口内为正形成的所述垂直存储器单元串形成沟道材料；在形成所述沟道材料之后，穿过所述上部材料形成通向所述第二下部开口中的所述第一材料的第二上部开口；及在所述第二上部开口内形成所述导电通路的导电材料。
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