[发明专利]等离子体蚀刻室和等离子体蚀刻的方法

摘要

一种等离子体蚀刻室，包括：真空容器（1）并在所述真空容器内：蚀刻隔室（3），具有中心轴（B）并且包括包围所述蚀刻隔室（3）的内部空间（IE）的周围壁（5）；具有金属周围壁（15）的泵送隔室（13），所述金属周围壁（15）具有馈通开口（21）；金属分隔壁（23），其对于所述中心轴（B）横向，将所述蚀刻隔室（3）与所述泵送隔室（13）分开；在所述金属分隔壁（23）中或沿着所述金属分隔壁（23）的至少一个泵送狭缝（35）；所述金属周围壁（15）中的泵送端口（17）；以所述中心轴（B）为中心的工件支撑（39），适于支撑暴露于所述内部空间（IE）的工件，其以电隔离的方式安装在所述真空容器（1）中（41）并且沿着所述中心轴（B）驱动地可移动（F）；通过所述馈通开口（17）的金属管状装置（19），包括机械耦合到所述工件支撑（39）的第一部分（19a）和机械耦合到所述金属周围壁（15）的第二部分（19b），所述第一部分（19a）和第二部分（19b）在所述中心轴（B）的方向上相对于彼此可移动（F），所述第二部分（19b）导电地接合（22）到所述金属周围壁（15）；Rf馈线（41），通过所述金属管状装置（19）而连接到所述工件支撑（39）；系统地连接器（45），在所述第二部分（19b）的末端处；大量分布式金属连接器（49），建立从所述金属周围壁（15），经由所述金属分隔壁（23）跨所述至少一个泵送狭缝（35）到所述金属管状构件（19）的所述第一部分（19a）的电接触。

主权项

1.一种等离子体蚀刻室，包括：‑ 真空容器（1）并在所述真空容器内：• 蚀刻隔室（3），具有中心轴（B）并且包括包围所述蚀刻隔室（3）的内部空间（IE）的周围壁（5）并且包括等离子体蚀刻室（1）的蚀刻装备（6）；• 泵送隔室（13），具有金属周围壁（15）并且具有在所述周围壁（15）中的馈通开口（21）；• 金属分隔壁（23），其对于所述中心轴（B）横向并将所述蚀刻隔室（3）与所述泵送隔室（13）分开；• 在所述金属分隔壁（23）中或沿着所述金属分隔壁（23）的至少一个泵送狭缝（35），其环绕在所述中心轴（B）周围并在所述蚀刻隔室（3）的内部空间（IE）和所述泵送隔室（13）的内部空间（IP）之间建立泵送流动连通；• 所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）中的泵送端口（17）；• 以所述中心轴（B）为中心的工件支撑（39），适于支撑暴露于所述蚀刻隔室（3）的所述内部空间（IE）的工件并以电隔离的方式安装在所述真空容器（1）中（41），所述工件支撑（39）沿着所述中心轴（B）向上在蚀刻位置中和向下远离所述蚀刻位置两者来驱动地可移动（F）；• 通过所述馈通开口（17）的金属管状装置（19），朝向所述工件支撑（39）延伸，所述金属管状装置包括机械地耦合到所述工件支撑（39）的第一部分（19a）和机械地耦合到所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）的第二部分（19b），所述第一部分（19a）和第二部分（19b）在所述中心轴（B）的方向上相对于彼此可移动（F），所述第二部分（19b）沿着所述馈通开口（21）的边缘导电地接合（22）到所述金属周围壁（15）；• Rf馈线（41），通过并沿着所述金属管状装置（19），并且连接到所述工件支撑（39）；• 用于所述等离子体蚀刻室（1）的系统地连接器（45），在所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15）的外部的所述金属管状装置（19）的所述第二部分（19b）的末端处，或者在与所述金属分隔壁（23）相对的所述金属周围壁（15）处；• 大量分布式金属连接器（49），至少当所述工件支撑在所述蚀刻位置中时，建立从所述泵送隔室（13）的所述金属周围壁（15），经由所述金属分隔壁（23），跨所述至少一个泵送狭缝（35）到所述金属管状构件（19）的所述第一部分（19a）的电接触。