[发明专利]减少非易失性存储器单元阵列中的编程干扰的方法和设备有效

专利信息
申请号: 201780035720.3 申请日: 2017-02-10
公开(公告)号: CN109313924B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 阿米凯·吉万特 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24;G11C16/02;G11C16/34;G11C11/40;G11C11/407;G11C11/4094
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 陆建萍;杨明钊
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了一种存储器设备,包括:(a)目标存储器单元,其具有第一选择栅极、目标存储器栅极和第一源极线,其中在编程操作期间,第一选择栅极、目标存储器栅极和第一源极线处于编程状态电平,以及(b)邻近存储器单元,其具有第二选择栅极、第一源极线和未连接到目标存储器栅极的邻近存储器栅极。在编程操作期间,邻近选择栅极处于低态以禁止对邻近单元的编程干扰,并且邻近存储器栅极处于低态。
搜索关键词: 选择栅极 目标存储器 源极线 邻近 编程操作期间 存储器栅极 编程干扰 低态 非易失性存储器单元阵列 邻近存储器单元 目标存储器单元 存储器设备 方法和设备 编程状态 未连接
【主权项】:
1.一种存储器设备,包括:成行和成列布置的多对非易失性存储器单元,每对包括第一存储器单元和第二存储器单元,所述第一存储器单元包括第一存储器栅极和第一选择栅极,所述第二存储器单元包括第二存储器栅极和第二选择栅极,其中所述第一存储器单元和所述第二存储器单元被设置在同一列并共享设置在所述第一存储器栅极和所述第二存储器栅极之间的源极区域,并且其中所述第一存储器栅极和所述第二存储器栅极不连接到彼此,以及其中,第一对非易失性存储器单元的第一存储器栅极连接到同一列的相邻的第二对非易失性存储器单元中的第二存储器栅极,其中,所述第一对非易失性存储器单元的第一存储器栅极与所述第二对非易失性存储器单元中的第二存储器栅极没有被另一存储器栅极分离,并且所述第一对非易失性存储器单元的第二存储器栅极连接到同一列的相邻的第三对非易失性存储器单元中的第一存储器栅极,其中,所述第一对非易失性存储器单元的第二存储器栅极与所述第三对非易失性存储器单元中的第一存储器栅极没有被另一存储器栅极分离。
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