[发明专利]半导体激光二极管有效
| 申请号： | 201780036897.5 | 申请日： | 2017-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN109314369B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 沃尔夫冈·雷耶 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有：‑半导体本体(2)，所述半导体本体包括发射区域(5)；和‑第一联接元件(3)，所述第一联接元件在发射区域(5)中电接触半导体本体(2)，其中‑半导体本体(2)在发射区域(5)中与第一联接元件(3)接触；和‑半导体本体(2)在发射区域(5)中至少局部地具有结构化部(26)，所述结构化部扩大半导体本体(2)和第一联接元件(3)之间的接触面(28)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，所述半导体激光二极管具有：‑半导体本体(2)，所述半导体本体包括发射区域(5)；和‑第一联接元件(3)，所述第一联接元件在所述发射区域(5)中电接触所述半导体本体(2)，其中‑所述半导体本体(2)在所述发射区域(5)中与所述第一联接元件(3)接触；和‑所述半导体本体(2)在所述发射区域(5)中至少局部地具有结构化部(26)，所述结构化部扩大在所述半导体本体(2)和所述第一联接元件(3)之间的接触面(28)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780036897.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于制造激光二极管棒的方法和激光二极管棒
- 下一篇：电子跟随续流灭弧辅助装置
