[发明专利]有源矩阵基板、光闸基板、显示装置、有源矩阵基板的制造方法在审

专利信息
申请号: 201780037820.X 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN109313871A 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 冈部达;锦博彦;家根田刚士 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02B26/02;G09F9/37;H01L27/32;H01L51/50;H05B33/22
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;池兵
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供难以在接触孔内产生金属膜的断接的有源矩阵基板。该有源矩阵基板在玻璃基板(1)上包括:第一绝缘膜~第三绝缘膜(4、6、11)和第一金属膜~第三金属膜(5、9、12);和将第一金属膜和第二金属膜(5、9)电连接的接触孔(CH),上述接触孔(CH)具有分别形成在第一绝缘膜~第三绝缘膜(4、6、11)中的第一孔~第三孔(H1、H2、H3),在第一孔(H1)的内侧,第一金属膜和第三金属膜(5、12)接触,在上述第三孔(H3)的下方的区域,第二绝缘膜(6)和氧化物半导体膜(7)重叠,在上述第一绝缘膜(4)的上方且第三孔(H3)的内侧或下方的区域,第二金属膜和第三金属膜(9、12)接触。
搜索关键词: 金属膜 绝缘膜 源矩阵基板 接触孔 氧化物半导体膜 玻璃基板 显示装置 电连接 断接 光闸 基板 制造
【主权项】:
1.一种有源矩阵基板,其特征在于,包括:基板;形成在比基板靠上层的位置的第一绝缘膜;形成在比第一绝缘膜靠上层的位置的第二绝缘膜;形成在比第二绝缘膜靠上层的位置的第三绝缘膜;形成在基板与第一绝缘膜之间的第一金属膜;在第二绝缘膜和第三绝缘膜之间的层形成的第二金属膜;一部分形成在比第三绝缘膜靠上层的位置的第三金属膜;在第二绝缘膜和第二金属膜之间的层形成的氧化物半导体膜;和将第一金属膜和第二金属膜电连接的接触孔,所述接触孔具有:形成在第一绝缘膜中的第一孔;形成在第二绝缘膜中的第二孔;和形成在第三绝缘膜中的第三孔,在所述第一孔的内侧,第一金属膜和第三金属膜接触,在所述第三孔的下方的区域,第二绝缘膜和氧化物半导体膜重叠,在所述第一绝缘膜的上方且第三孔的内侧或下方的区域,第二金属膜和第三金属膜接触。
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