[发明专利]使用从邻近结构扩散的掺杂剂种类的关联电子材料器件在审
| 申请号： | 201780042126.7 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109791976A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 金柏莉·盖伊·里德;卢西恩·斯弗恩 | 申请（专利权）人： | ARM有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 林强 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本技术总体涉及用于例如执行切换功能的关联电子材料的制造。在实施例中，可使用衍生自用于制造诸如导电基板(210)或导电覆盖层(230)的邻近结构的一种或多种前驱体的掺杂剂种类(205，206)来掺杂关联电子材料(220)。 | ||
| 搜索关键词： | 关联电子材料 掺杂剂 邻近 导电覆盖层 导电基板 技术总体 结构扩散 前驱体 制造 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种构建切换器件的方法，包括：使用一种或多种前驱体形成导电基板；在所述导电基板上形成关联电子材料膜；以及通过使衍生自所述一种或多种前驱体的第一掺杂剂种类扩散到所述关联电子材料膜中来掺杂所述关联电子材料膜。
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