[发明专利]形成低高度分裂栅存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201780048382.7 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN109699188B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | C-S.苏;J-W.杨;M-T.吴;C-M.陈;H.V.陈;N.杜 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L27/11539;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种形成存储器器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成导电材料层；在所述导电材料层上形成绝缘块；沿着所述绝缘块的侧表面并且在所述导电材料层上形成绝缘间隔物；蚀刻所述导电材料层以形成所述导电材料的直接地设置在所述绝缘块和所述绝缘间隔物下方的块；去除所述绝缘间隔物；形成第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一部分和第二部分，所述第一部分包裹所述导电材料的所述块的暴露的上边缘，所述第二部分设置在所述衬底上方的在所述第一绝缘层的第一部分上；以及形成通过所述第二绝缘层与所述导电材料的所述块绝缘的并且通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层与所述衬底绝缘的导电块。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 高度 分裂 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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