[发明专利]半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201780052747.3 | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109661719B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李启雄;朴浩荣;李泰硕 | 申请（专利权）人： | IPI技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/02;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/498;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;宋东颖 |
| 地址： | 韩国大田*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜及其制备方法，采用玻璃化转变温度为回流工序温度以下的热塑性聚酰亚胺层，从而可以确保回流工序结束后半导体芯片装拆的简易性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 回流 工序 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装回流工序用聚酰亚胺薄膜，其特征在于，包括：非热塑性聚酰亚胺层；热塑性聚酰亚胺层，层叠于上述非热塑性聚酰亚胺层上，具有回流工序温度以下的玻璃化转变温度；以及粘结层，附着于上述热塑性聚酰亚胺层上，上述热塑性聚酰亚胺层的表面经过羧基改性处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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