[发明专利]高性能超βNPN(SBNPN)有效
| 申请号： | 201780053253.7 | 申请日： | 2017-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109643654B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | B·本纳;W·施瓦兹;B·G·斯图弗 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/72 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所描述示例中，一种用于制造超βNPN(SBNPN)晶体管的方法包括：在P型外延层上沉积正硅酸乙酯(TEOS)层(1102)；在TEOS层上沉积氮化物层(1102)；通过选择性地蚀刻掉部分氮化物层和TEOS层来图案化SBNPN晶体管的发射极区域(1104)；在氮化物层的顶部、沿着氮化物层和TEOS层的侧面以及在P型外延层的顶部上沉积第二TEOS层(1110)；以及通过第二TEOS层利用N型离子注入P型外延层，以形成SBNPN晶体管的发射极区域(1114)。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 npn sbnpn | ||
【主权项】：
1.一种用于制造超βNPN晶体管即SBNPN晶体管的方法，所述方法包括：在P型外延层上沉积正硅酸乙酯层即TEOS层；在所述TEOS层上沉积氮化物层；通过选择性地蚀刻掉部分所述氮化物层和所述TEOS层来图案化所述SBNPN晶体管的发射极区域；在所述氮化物层的顶部、沿着所述氮化物层和所述TEOS层的侧面以及在所述P型外延层的顶部上沉积第二TEOS层；以及通过所述第二TEOS层利用N型离子注入所述P型外延层，以形成所述SBNPN晶体管的所述发射极区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德克萨斯仪器股份有限公司，未经德克萨斯仪器股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780053253.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：场效应晶体管制造方法及场效应晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
