[发明专利]具有非功能性柱体的垂直存储器装置在审
| 申请号： | 201780053809.2 | 申请日： | 2017-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN109643719A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | J.赵;G.达马拉;D.A.戴科克;G.A.哈勒;S.S.S.韦贡塔;J.B.马托武;M.R.朴;P.R.莫克纳劳 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11565 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了固态存储器技术。在一个示例中，固态存储器部件可包括多条位线、源极线以及多个功能性(510)和非功能性(510')存储器柱体。每个非功能性存储器柱体(510')与多条位线和源极线之一或两者电隔离。在另一个示例中，固态存储器部件可包括位于固态存储器部件的外围部分(553)的多个柱体，以及毗邻每个柱体的存储器单元。还公开了关联的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 柱体 固态存储器 非功能性 存储器 源极线 位线 垂直存储器 存储器单元 电隔离 毗邻 外围 关联 | ||
【主权项】：
1.一种固态存储器部件，包含：多条位线；源极线；以及多个非功能性存储器柱体，每个非功能性存储器柱体与所述多条位线和所述源极线之一或两者电隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780053809.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维存储器器件及其制造方法
- 下一篇：半导体存储元件、其他元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
