[发明专利]带有背侧本体接触部的深沟槽有源器件在审
| 申请号： | 201780054488.8 | 申请日： | 2017-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN109791948A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | S·格科特佩里;S·法内利 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种集成电路可以包括具有栅极指状件的栅极。集成电路还可以包括本体，其具有与栅极的栅极指状件互锁的半导体柱。集成电路还可以包括被耦合到本体的(多个)背侧接触部。集成电路还可以包括背侧金属化物。背侧金属化物可以通过(多个)背侧接触部被耦合到本体。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 背侧接触部 金属化物 指状件 耦合到 半导体柱 深沟槽 源器件 互锁 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：栅极，包括多个栅极指状件；本体，包括与所述多个栅极指状件互锁的多个半导体柱；至少一个背侧接触部，被耦合到所述本体；以及背侧金属化物，通过所述至少一个背侧接触部被耦合到所述本体。
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