[发明专利]用于碳掺杂含硅膜的组合物以及使用所述组合物的方法

摘要

本文公开了一种组合物和在电子器件的制造中使用该组合物的方法。公开了用于沉积低介电常数(<4.0)和高氧灰化抗性的含硅膜(例如但不限于碳掺杂氧化硅)的化合物、组合物和方法。

主权项

1.一种组合物，其包含：(a)至少一种具有一个Si‑C‑Si或两个Si‑C‑Si键的硅前体化合物，其选自1,1,1,3,3,3‑六氯‑1,3‑二硅杂丙烷、1,1,1,3,3,3‑六氯‑2‑甲基‑1,3‑二硅杂丙烷、1,1,1,3,3,3‑六氯‑2,2‑二甲基‑1,3‑二硅杂丙烷、1,1,1,3,3,3‑六氯‑2‑乙基‑1,3‑二硅杂丙烷、1‑氯‑1,3‑二硅杂环丁烷、1‑溴‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,3‑二氯‑1,3‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,3‑二溴‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,1,3‑三氯‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,1,3‑三溴‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,1,3,3‑四溴‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,3‑二氯‑1,3‑二甲基‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,3‑溴‑1,3‑二甲基‑1,3‑二硅杂环丁烷、1,1,1,3,3,5,5,5‑八氯‑1,3,5‑三硅杂戊烷、1,1,1,3,3,5,5,5‑八氯‑1,3,5‑三硅杂戊烷、1,1,1,3,3,5,5,5‑八氯‑1,5‑二甲基‑1,3,5‑三硅杂戊烷、1,1,1,5,5,5‑六氯‑3,3‑二甲基‑1,3,5‑三硅杂戊烷、1,1,3,5,5,5‑五氯‑1,3,5‑三甲基‑1,3,5‑三硅杂戊烷、1,1,1,5,5,5‑六氯‑1,3,5‑三硅杂戊烷、1,1,5,5‑四氯‑1,3,5‑三硅杂戊烷；和(b)至少一种溶剂。