[发明专利]半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装有效
| 申请号： | 201780056302.2 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109791960B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好 | 申请（专利权）人： | 苏州立琻半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/48;H01L33/36;H01L33/04;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/10;H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕锦林 |
| 地址： | 215499 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一个实施例公开了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一和第二导电半导体层之间的有源层；与第一导电半导体层电连接的第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中第二导电半导体层包括第二电极被设置在其上的第一表面并且具有从第一表面到第二点的第二最小距离W2与从第一表面到第一点的第一最小距离W1的比率(W2：W1)1：1.25至1：100，分别地，第一点是具有与有源层的最靠近第二导电型半导体层的阱层的铝成分相同成分的点，第二点是第二导电半导体层的铝成分和掺杂剂成分相同的点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 包括 封装 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，所述有源层设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；第一电极，与所述第一导电半导体层电连接；以及第二电极，与所述第二导电半导体层电连接，其中：所述第二导电半导体层包括第一表面，在所述第一表面上设置有所述第二电极；所述第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率(W2：W1)，所述第二最短距离W2是从所述第一表面到第二点的距离，所述第一最短距离W1是从所述第一表面到第一点的距离；所述第一点是所述第二导电半导体层的铝成分与所述有源层的最靠近所述第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且所述第二点是所述第二导电半导体层具有与所述铝成分相同的掺杂剂成分的点。
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