[发明专利]用于防止阴离子交换的卤化物钙钛矿纳米颗粒的加壳

摘要

核/壳半导体纳米颗粒结构包括：包含卤化物钙钛矿半导体的核，和包含不是卤化物钙钛矿的半导体材料(并且基本上不含卤化物钙钛矿)的壳。卤化物钙钛矿半导体核可以是AMX3形式，其中：A是有机铵，比如CH3NH3+、(C8H17)2(CH3NH3)+、PhC2H4NH3+、C6H11CH2NH3+或1‑金刚烷基甲基铵，脒比如CH(NH2)2+，或碱金属阳离子，比如Li+、Na+、K+、Rb+或Cs+；M是二价金属阳离子，比如Mg2+、Mn2+、Ni2+、Co2+、Pb2+、Sn2+、Zn2+、Ge2+、Eu2+、Cu2+或Cd2+；并且X是卤素阴离子(F‑、Cl‑、Br‑、I‑)或卤素阴离子的组合。

主权项

1.一种核/壳半导体纳米颗粒，所述核/壳半导体纳米颗粒包含：包含卤化物钙钛矿半导体的核；和基本上围绕所述核并且包含不是卤化物钙钛矿的半导体材料的壳，其中所述壳基本上不含卤化物钙钛矿。