[发明专利]3D半导体器件及结构在审
| 申请号： | 201780061048.5 | 申请日： | 2017-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN109952643A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 兹维·奥巴赤;金武韩;布瑞恩·克朗奎斯特;伊莱·乐斯基 | 申请（专利权）人： | 三维单晶公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L21/8238;H01L27/11551;H01L27/108;H01L27/11 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 张明 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种3D器件，所述器件包括：包括第一位单元阵列的第一层，所述第一位单元阵列包括三个独立的第一行；包括第二位单元阵列的第二层，所述第二位单元阵列包括三个独立的第二行，其中所述第二层覆盖所述第一层；以及至少三个垂直位线，所述至少三个垂直位线中的每个连接至相应的三个水平第一位线和三个水平第二位线，其中所述三个水平第一位线包括所述第一位单元阵列的控件，其中所述三个水平第二位线包括所述第二位单元阵列的控件，并且所述三个垂直位线中的每个可用于控制所述三个独立的第一行中的不同一行，或控制所述三个独立的第二行中的不同一行。 | ||
| 搜索关键词： | 位单元阵列 位线 垂直 第一层 控件 半导体器件 可用 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种3D器件，其特征在于，所述器件包括：第一层，所述第一层包括第一位单元阵列，所述第一位单元阵列包括三个独立的第一行；第二层，所述第二层包括第二位单元阵列，所述第二位单元阵列包括三个独立的第二行；其中所述第二层覆盖所述第一层；以及至少三个垂直位线，所述至少三个垂直位线中的每个连接至相应的三个水平第一位线和三个水平第二位线，其中所述三个水平第一位线包括所述第一位单元阵列的控件，其中所述三个水平第二位线包括所述第二位单元阵列的控件，并且其中所述三个垂直位线中的每个可用于控制所述三个独立的第一行中的不同一行，或控制所述三个独立的第二行中的不同一行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
