[发明专利]第一保护膜形成用片有效
申请号: | 201780061254.6 | 申请日: | 2017-09-08 |
公开(公告)号: | CN109791887B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 山岸正宪;安达一政 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/301 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种第一保护膜形成用片,其具备第一基材、形成于第一基材上的缓冲层以及形成于缓冲层上的固化性树脂膜,将缓冲层及固化性树脂膜分别制作成直径为8mm、厚度为1mm的试验片,以90℃、1Hz的条件使这些试验片发生应变,进行测定这些试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时,缓冲层的试验片的应变为300%时的缓冲层的试验片的剪切弹性模量Gb300’与固化性树脂膜的试验片的应变为300%时的固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量Gc300’满足Gb300’≥Gc300’的关系。 | ||
搜索关键词: | 第一 保护膜 形成 | ||
【主权项】:
1.一种第一保护膜形成用片,其具备第一基材、形成于所述第一基材上的缓冲层以及形成于所述缓冲层上的固化性树脂膜,通过将所述固化性树脂膜贴附于半导体晶圆的具有凸块的表面并使其固化,从而用于在所述表面上形成第一保护膜,以温度90℃、频率1Hz的条件,使直径为8mm、厚度为1mm的所述缓冲层的试验片发生应变,进行测定所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时,所述缓冲层的试验片的应变为300%时的所述缓冲层的试验片的剪切弹性模量为Gb300’,以温度90℃、频率1Hz的条件,使直径为8mm、厚度为1mm的所述固化性树脂膜的试验片发生应变,进行测定所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量G’的应变分布测量时,所述固化性树脂膜的试验片的应变为300%时的所述固化性树脂膜的试验片的剪切弹性模量为Gc300’,所述Gb300’与所述Gc300’满足以下关系,式(w1):Gb300’≥Gc300’。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造