[发明专利]激光照射装置、半导体器件制造方法及激光照射装置操作方法有效
申请号: | 201780061352.X | 申请日: | 2017-06-02 |
公开(公告)号: | CN109804457B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 清水良;佐藤亮介;下地辉昭 | 申请(专利权)人: | JSW阿克迪纳系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;G09F9/00;H01L21/20;H01L21/336;H01L21/677;H01L29/786 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 日本国神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种实施方式的激光退火装置(1)包括用于生成激光束(L)的激光振荡器(4),用于将待由所述激光束(L)照射的工件(W)浮起并传送该工件的浮起型传送台(3),以及用于测量所述激光束(L)的光束轮廓的光束轮廓测量仪(7)。所述浮起型传送台(3)包括与所述工件(W)相对的传送表面(3a)以及与位于该传送表面(3a)相反一侧的下表面(3b)。所述光束轮廓测量仪(7)位于所述浮起型传送台(3)下表面(3b)下方。所述浮起型传送台(3)包括处于其一部分之内的可卸除部分(12)。通过将所述可卸除部分(12)从所述浮起型传送台(3)卸除,形成开孔(S),该开孔(3)自所述传送表面(3a)延伸至所述下表面(3b)。所述光束轮廓测量仪(7)用于经所述开孔(S),对所述激光束(L)的光束轮廓进行测量。 | ||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 半导体器件 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光照射装置,其特征在于,包括:一激光振荡器,用于生成一激光束;一传送台,用于将待由所述激光束照射的一工件浮起并传送所述工件;以及一测量仪器,用于测量所述激光束的一光束轮廓,其中,所述传送台包括与所述工件相对设置的一传送表面以及位于所述传送表面相反一侧的一下表面,所述测量仪器位于所述传送台的所述下表面的下方;所述传送台包括位于所述传送台一部分之内的一可卸除部分,所述可卸除部分构造为可从所述传送台卸除,通过将所述可卸除部分从所述传送台卸除,在所述传送台内形成一开孔,所述开孔自所述传送表面延伸至所述下表面,以及所述测量仪器用于经所述开孔,对所述激光束的所述光束轮廓进行测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造