[发明专利]液晶单元的制造方法和液晶单元在审
| 申请号： | 201780062071.6 | 申请日： | 2017-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN109844626A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 片山崇;三宅敢;平井明;品田庆 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1337 | 分类号： | G02F1/1337;G02F1/133;H01Q3/34;H01Q3/44;H01Q13/22;H01Q21/06 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;侯剑英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的液晶单元的制造方法具备：薄膜形成工序，在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜，上述一对带电极的基板包括：TFT基板，其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极；以及缝隙基板，其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极，在该薄膜形成工序中，上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成；以及光照射工序，向上述薄膜照射包含p偏振光的光，得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜，上述液晶单元的制造方法的特征在于，上述薄膜包含聚合物，该聚合物具有光反应性官能基，沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质基板 薄膜 液晶单元 基板 带电极 薄膜形成工序 取向限制力 缝隙电极 贴片电极 聚合物 制造 表面形成薄膜 液晶分子取向 光反应性 电连接 官能基 光照射 偏振轴 取向膜 正交的 支撑 照射 覆盖 赋予 表现 | ||
【主权项】：
1.一种液晶单元的制造方法，具备：薄膜形成工序，在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜，上述一对带电极的基板包括：TFT基板，其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极；以及缝隙基板，其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极，在该薄膜形成工序中，上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成；以及光照射工序，向上述薄膜照射包含p偏振光的光，得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜，上述液晶单元的制造方法的特征在于，上述薄膜包含聚合物，该聚合物具有光反应性官能基，沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。
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