[发明专利]包含含有酰胺基的聚酯的抗蚀剂下层膜形成用组合物在审
| 申请号： | 201780062564.X | 申请日： | 2017-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN109843852A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 田村护;绪方裕斗;臼井友辉;岸冈高广 | 申请（专利权）人： | 日产化学株式会社 |
| 主分类号： | C07C233/43 | 分类号： | C07C233/43;C07C233/54;C07C235/16;C07C317/40;C08G59/52;G03F7/11;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 马妮楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供能够获得特别是在KrF工艺中发挥充分的防反射功能、高耐溶剂性和干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、并可以形成良好的截面形状的光致抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含共聚物，所述共聚物包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，(式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示‑COOH、或‑L‑NHCO‑Z‑COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基)。 |
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| 搜索关键词： | 碳原子数 抗蚀剂下层膜 形成用组合物 式( 1 ) 烷基 烷氧基 光致抗蚀剂图案 二环氧化合物 防反射功能 共聚物包含 卤素取代基 烷氧基羰基 环己烷环 截面形状 耐溶剂性 氮原子 干蚀刻 共聚物 间隔基 硫原子 氢原子 亚烷基 氧原子 酰胺基 苯环 单键 聚酯 式中 中断 | ||
【主权项】：
1.下述式(1)所示的化合物，![]()
式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示‑COOH、或‑L‑NHCO‑Z‑COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基，其中，所述化合物不包括下述两种化合物：![]()
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