[发明专利]摄像面板及其制造方法有效
| 申请号： | 201780062797.X | 申请日： | 2017-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN109804468B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 美崎克纪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;G01T1/20;H01L27/144;H01L29/786;H04N23/30 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供能抑制光电转换层的漏电流的X射线的摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具备：薄膜晶体管(13)；绝缘膜(103)，其覆盖薄膜晶体管(13)；光电转换层(15)，其将闪烁光转换为电荷；上部电极(14b)；下部电极(14a)，其与薄膜晶体管(13)连接；以及保护膜(142)，其覆盖下部电极(14a)的侧端部。 | ||
| 搜索关键词： | 摄像 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种摄像面板，基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像，其特征在于，具备：基板；薄膜晶体管，其形成在上述基板上；绝缘膜，其覆盖上述薄膜晶体管；光电转换层，其设置在上述绝缘膜之上，将上述闪烁光转换为电荷；上部电极，其设置在上述光电转换层之上；下部电极，其设置在上述光电转换层之下，与上述薄膜晶体管连接；以及保护膜，其覆盖上述下部电极的侧端部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
