[发明专利]晶片的制造方法及晶片

摘要

包括：倒角工序，进行从单结晶坯块切割出的晶片或研磨后的晶片的倒角；树脂层形成工序，向倒角后的晶片的一方的面涂敷硬化性树脂，形成树脂层；第1平面磨削工序，经由树脂层保持一方的面，对晶片的另一方的面进行平面磨削；树脂层除去工序，将树脂层除去；以及第2平面磨削工序，保持另一方的面，对一方的面进行平面磨削；在树脂层形成工序中，在设晶片的倒角部的算术平均粗糙度为Ra（nm），设硬化性树脂的涂敷时的粘度为V（mPa･s）的情况下，涂敷硬化性树脂，以满足以下的式（1），Ra×V≥2×10³…（1）。

主权项

1.一种晶片的制造方法，其特征在于，包括：倒角工序，进行从单结晶坯块切割出的晶片或研磨后的晶片的倒角；树脂层形成工序，向倒角后的晶片的一方的面涂敷硬化性树脂，形成树脂层；第1平面磨削工序，经由前述树脂层保持前述一方的面，对前述倒角后的晶片的另一方的面进行平面磨削；树脂层除去工序，将前述树脂层除去；以及第2平面磨削工序，保持前述另一方的面，对前述一方的面进行平面磨削；在前述树脂层形成工序中，在设前述倒角后的晶片的倒角部的算术平均粗糙度为Ra（nm），设前述硬化性树脂的涂敷时的粘度为V（mPa･s）的情况下，涂敷前述硬化性树脂，以满足以下的式（1），Ra×V≥2×10³   … （1）。