[发明专利]半导体晶片的双面抛光方法有效
| 申请号： | 201780068038.4 | 申请日： | 2017-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN110235225B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 久保田真美;福原史也;三浦友纪 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 殷超;谭祐祥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体晶片的双面抛光方法，其通过对应抛光中的抛光环境变化，能够抑制抛光质量的偏差。本发明的半导体晶片的双面抛光方法包括：事先求出判定双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的指定期间中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 双面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片的双面抛光方法，其使用双面抛光装置进行半导体晶片的双面抛光，该方法的特征在于，包括：基于使用所述双面抛光装置结束双面抛光后的多个半导体晶片的形状指标、及对应该形状指标的所述双面抛光装置的抛光末期的装置日志数据，进行重回归分析，事先求出判定所述双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，继所述第1工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的抛光末期中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，继所述第2工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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