[发明专利]半导体发光元件的制造方法有效
| 申请号： | 201780073063.1 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109997235B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 酒井遥人;丹羽纪隆;稻津哲彦 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立;丁惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光元件(10)的制造方法包括在n型AlGaN系半导体材料的n型包覆层(24)上形成AlGaN系半导体材料的活性层(26)的工序、在活性层(26)上形成p型半导体层的工序、除去p型半导体层、活性层(26)及n型包覆层(24)的一部分，使得n型包覆层(24)的一部分区域露出的工序、以及在n型包覆层(24)所露出的一部分区域上形成n侧电极(32)的工序。进行除去的工序包含：第1干法刻蚀工序，其利用反应性气体及惰性气体这两者来进行干法刻蚀；以及第2干法刻蚀工序，其在第1干法刻蚀工序后，利用反应性气体来进行干法刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括：在n型AlGaN系半导体材料的n型包覆层上形成AlGaN系半导体材料的活性层的工序，在上述活性层上形成p型半导体层的工序，除去上述p型半导体层、上述活性层及上述n型包覆层的一部分，使得上述n型包覆层的一部分区域露出的工序，以及在上述n型包覆层所露出的上述一部分区域上形成n侧电极的工序；上述进行除去的工序包含：第1干法刻蚀工序，其利用反应性气体及惰性气体这两者来进行干法刻蚀；以及第2干法刻蚀工序，其在上述第1干法刻蚀工序后利用反应性气体来进行干法刻蚀。
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