[发明专利]超芯片在审
| 申请号： | 201780073754.1 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN110024121A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | M·T·博尔;W·戈梅斯;R·库马尔;P·塔达勇;D·因格利 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/48;H01L23/00;H01L23/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了超芯片结构和制作超芯片的方法。在示例中，一种集成电路组件包括具有与背侧相对的器件侧的第一集成电路芯片。所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点。所述背侧包括多个背侧接触部。第二集成电路芯片包括具有位于其上的多个器件接触点的器件侧。所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上。所述第二集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的多个器件接触点中的器件接触点。从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路芯片 接触点 多个器件 芯片 集成电路组件 背侧接触部 晶体管器件 芯片结构 耦合 侧接触 配置 制作 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路组件，包括：第一集成电路芯片，其包括与背侧相对的器件侧，所述器件侧包括多个晶体管器件以及多个器件侧接触点，并且所述背侧包括多个背侧接触部；以及第二集成电路芯片，其包括器件侧，所述器件侧包括位于其上的多个器件接触点，所述第二集成电路芯片按照器件侧对器件侧配置处于所述第一集成电路芯片上，其中，所述第二集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点耦合至所述第一集成电路芯片的所述多个器件接触点中的器件接触点，并且其中，从平面图的角度来看所述第二集成电路芯片比所述第一集成电路芯片小。
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