[发明专利]在多电平非易失性存储器中实现一致的读取时间有效
| 申请号： | 201780074139.2 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN110023895B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | A·S·拉玛林嘉姆;P·卡拉瓦德 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 系统、设备和方法可以提供从一组多电平非易失性存储器(NVM)单元读取下页、一个或多个中间页和最末页的技术，其中与下页相关联的下读取时间或与最末页相关联的最末读取时间中的一个或多个基本类似于与一个或多个中间页相关联的中间读取时间。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 非易失性存储器 实现 一致 读取 时间 | ||
【主权项】：
1.一种固态驱动器系统，包括：包括传输缓冲器的器件控制器设备，以及通信地耦合到所述器件控制器设备的非易失性存储器(NVM)，所述NVM包括一组多电平NVM单元和芯片控制器设备，所述芯片控制器设备包括衬底和逻辑单元，所述逻辑单元实施于固定功能硬件中并耦合到所述衬底，所述逻辑单元用于：从所述一组多电平NVM单元读取下页，从所述一组多电平NVM单元读取一个或多个中间页，并且从所述一组多电平NVM单元读取最末页，其中，与所述下页相关联的下读取时间或与所述最末页相关联的最末读取时间中的一个或多个基本类似于与所述一个或多个中间页相关联的中间读取时间。
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