[发明专利]具有背部气源的可旋转静电吸盘有效
申请号: | 201780075409.1 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN110050334B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 比哈瑞斯·斯瓦米纳森;伟·王 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文公开了基板支撑底座和结合所述基板支撑底座的静电吸盘的实施方式。在一些实施方式中,基板支撑底座包括:具有上表面和与上表面相对的下表面的主体;一个或多个设置在主体内的吸附电极;自上表面突出以支撑基板的多个基板支撑元件;在主体中心处设置在下表面中并且部分地穿过主体的孔;多个气孔,所述多个气孔设置在靠近主体中心的上表面中,其中所述多个气孔设置在孔的上方并且流体耦接至孔;和多个气体分配槽,所述多个气体分配槽形成在上表面中并且流体耦接至多个气孔。 | ||
搜索关键词: | 具有 背部 旋转 静电 吸盘 | ||
【主权项】:
1.一种基板支撑底座,包括:主体,所述主体具有上表面和与所述上表面相对的下表面;一个或多个吸附电极,所述一个或多个吸附电极设置在所述主体内;多个基板支撑元件,所述多个基板支撑元件从所述上表面突出以支撑基板;孔,所述孔在所述主体的中心处设置于所述下表面中并且部分地穿过所述主体;多个气孔,所述多个气孔靠近所述主体的所述中心设置在所述上表面中,其中所述多个气孔设置在所述孔的上方并且流体耦接至所述孔;和多个气体分配槽,所述多个气体分配槽形成在所述上表面中并且流体耦接至所述多个气孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780075409.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:时间性原子层沉积处理腔室
- 下一篇:用于层转移的位错过滤系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造