[发明专利]固体摄像器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201780075694.7 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110088907B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 山元纯平;重歳卓志;多田贵宣;福冈慎平 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H10K30/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 姚鹏;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种摄像器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体基板。光电转换单元位于所述半导体基板的第一侧。多层配线层位于所述半导体基板的第二侧。贯通电极在所述光电转换单元和所述多层配线层之间延伸。所述多层配线层包括局部配线层。所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种摄像器件，其包括：半导体基板，所述半导体基板具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；光电转换单元，位于所述半导体基板的所述第一侧；多层配线层，位于所述半导体基板的所述第二侧；贯通电极，所述贯通电极在所述光电转换单元与所述多层配线层之间延伸，其中，所述多层配线层包括局部配线层，并且其中，所述贯通电极的第二端与所述局部配线层直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
