[发明专利]具有存储器栅极和源极线加扰的非易失性存储器阵列有效
| 申请号： | 201780075858.6 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110050306B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | C·陈;约拉姆·比特森;K-T·张;阿米凯·吉万特;S·谢蒂;S·房 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种存储器设备，包括以行和列布置的存储器阵列。存储器阵列可以具有耦合在存储器阵列的同一列中的至少四个非易失性存储器(NVM)单元，其中每个NVM单元可以包括存储器栅极。至少四个NVM单元中的第一和第二NVM单元可以共享第一源极区，并且第三和第四NVM单元可以共享第二源极区。第一和第二NVM单元的存储器栅极可以彼此不电耦合，并且第一和第二源极区可以彼此不电耦合。第一和第二源极区中的每一个可以与存储器阵列中同一列的至少另一源极区电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储器 栅极 源极线加扰 非易失性存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储器设备，包括：以行和列布置的存储器阵列，包括，在所述存储器阵列的同一列中耦合的至少四个非易失性存储器(NVM)单元，其中每个NVM单元包括存储器栅极，并且其中，所述至少四个NVM单元的第一NVM单元和第二NVM单元共享第一源极区，并且第三NVM单元和第四NVM单元共享第二源极区，其中所述第一NVM单元和第二NVM单元的存储器栅极彼此不电耦合，其中所述第一源极区和第二源极区彼此不电耦合，并且其中所述第一源极区和第二源极区中的每一个与同一列的至少另一源极区电耦合。
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