[发明专利]有机金属化学气相沉积装置在审
申请号: | 201780076172.9 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN110088356A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 赵广一;崔成哲 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/458 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处仁区阳智面*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种有机金属化学气相沉积装置。本发明的有机金属化学气相沉积装置包括:腔室,提供对基板进行处理的处理空间;气体供给部,向所述腔室的内部供给处理气体;以及基板支撑部,配置于所述腔室的内部,基板支撑部具备安装所述基板的收容槽,且基板支撑部对所述基板进行加热。在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部。在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。 | ||
搜索关键词: | 有机金属化学气相沉积装置 基板支撑部 收容槽 基板 腔室 气体供给部 处理空间 处理气体 对基板 中间槽 加热 配置 | ||
【主权项】:
1.一种有机金属化学气相沉积装置,其特征在于,包括:腔室,提供对基板进行处理的处理空间;气体供给部,向所述腔室的内部供给处理气体;以及基板支撑部,配置于所述腔室的内部,具备安装所述基板的收容槽,对所述基板进行加热,且在所述收容槽的内侧形成有安装所述基板的安装部,在所述安装部的边缘与所述收容槽之间形成有中间槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TES股份有限公司,未经TES股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780076172.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基底疏水化的方法
- 下一篇:锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的