[发明专利]III族氮化物半导体基板及III族氮化物半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 201780078733.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN110088364B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 住田行常;藤山泰治;后藤裕辉;中川拓哉;石原裕次郎 | 申请（专利权）人： | 古河机械金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李慧慧;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的III族氮化物半导体基板的制造方法，具有：准备III族氮化物半导体基板的准备工序(S10)，和使III族氮化物半导体在III族氮化物半导体层上外延生长的生长工序(S20)。所述III族氮化物半导体基板，具备：具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板，和位于该主表面上的III族氮化物半导体层，并且在与该主表面垂直的方向上的俯视图中，蓝宝石基板的0002方向和III族氮化物半导体层的10‑10方向不正交。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体基板，具备：具有半极性面作为主表面的蓝宝石基板，和位于所述主表面上的III族氮化物半导体层，并且在与所述主表面垂直的方向上的俯视图中，所述蓝宝石基板的<0002>方向和所述III族氮化物半导体层的<10‑10>方向不正交。
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