[发明专利]激光照射装置、薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201780079804.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110114855A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 水村通伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华;洪秀川 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 玻璃基板包含的多个薄膜晶体管的特性有可能产生偏差。本发明的一个实施方式的激光照射装置的特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射该激光，该非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以及投影掩模图案，其设置于该投影透镜上，具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与该规定方向平行设置的多个列，该投影透镜经由该投影掩模图案而照射该激光，该投影掩模图案的该规定数量的开口部的至少一部分在各个该多个列中未被配置在与该规定方向平行的一条直线上。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 投影透镜 投影掩模 激光照射装置 非晶硅薄膜 激光 玻璃基板 方向平行 开口部 图案 方向移动 区域照射 粘附 光源 照射 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种激光照射装置，其特征在于，具备：光源，其产生激光；投影透镜，其对非晶硅薄膜的规定的区域照射所述激光，所述非晶硅薄膜分别粘附于沿规定方向移动的玻璃基板上的多个薄膜晶体管；以及投影掩模图案，其设于所述投影透镜上，具有分别包含规定数量的开口部的多个列、即与所述规定方向平行设置的多个列，所述投影透镜经由所述投影掩模图案而照射所述激光，所述投影掩模图案的所述规定数量的开口部的至少一部分在各个所述多个列中，未被配置在与所述规定方向平行的一条直线上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
