[发明专利]用于光刻胶层中场引导酸轮廓控制的设备有效
申请号: | 201780080204.2 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN110114854B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 卢多维克·戈代;克里斯汀·Y·欧阳;维加斯拉夫·巴巴扬 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本文描述的实施方式涉及用于处理基板的设备和方法。更特定地,提供了一种具有可移动电极的处理腔室,可移动电极用于在填充有流体的处理容积内产生平行场。在一个实施方式中,处理腔室的长轴线垂直地定向,且基板支撑件与沿着处理腔室的长轴线延伸的多个可移动电极相对设置。在某些实施方式中,基板支撑件是电浮动的且能够在处理基板期间围绕处理腔室的短轴线旋转。 | ||
搜索关键词: | 用于 光刻 中场 引导 轮廓 控制 设备 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理基板的设备,包含:腔室主体,具有侧壁且界定处理容积,其中所述处理容积的长轴线垂直地定向,且所述处理容积的短轴线水平地定向;可移动的门,耦接到所述腔室主体;真空卡盘,耦接到所述门;滑动密封件,耦接到所述腔室主体的侧壁并至少部分地界定所述处理容积的一部分;多个可移动电极,与所述真空卡盘相对而设置在所述处理容积中,所述多个可移动电极适于产生平行于所述处理容积的所述长轴线的电场;多个轴,从所述多个电极延伸,所述轴延伸穿过所述滑动密封件;及马达,耦接到所述多个轴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201780080204.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造