[发明专利]摄像面板及其制造方法有效
申请号: | 201780080214.6 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN110100311B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H04N25/70 | 分类号: | H04N25/70;H04N25/76;G01T1/20;G01T1/24;H01L27/12;H01L27/144;H01L27/146;H10K39/36 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;张艳凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供能提高生产性的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像。摄像面板(1)在基板(101)上具有有源区域和端子区域。在有源区域中具备:薄膜晶体管;第1绝缘膜,其设置于薄膜晶体管之上;光电转换元件,其设置于第1绝缘膜之上;第2绝缘膜,其分开配置于光电转换元件的上层,具有接触孔;以及导电膜,其经由接触孔与上述光电转换元件连接。光电转换元件包含光电转换层,该光电转换层包含第1半导体层、本征非晶质半导体层以及第2半导体层。端子区域具备:第1导电层(100),其包括与薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料;端子用第1绝缘膜(103),其包括与第1绝缘膜相同的材料,在第1导电层(110)的一部分之上分开设置,具有开口;端子用半导体层(1501),其设置于端子用第1绝缘膜(103)之上,包括与光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料;以及第2导电层(1702),其设置于端子用半导体层(1501)之上,包括与上述导电膜相同的材料,在端子用第1绝缘膜(103)的开口中与第1导电层(100)连接。 | ||
搜索关键词: | 摄像 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种摄像面板,基于从经过了被摄体的X射线得到的闪烁光生成图像,上述摄像面板的特征在于,具有基板,并且在上述基板上具有有源区域和端子区域,上述有源区域具备:薄膜晶体管,其形成于上述基板上;第1绝缘膜,其设置于上述薄膜晶体管之上;光电转换元件,其设置于上述第1绝缘膜之上,包含具有第1导电型的第1半导体层、本征非晶质半导体层、以及具有与上述第1导电型相反的第2导电型的第2半导体层作为将上述闪烁光转换为电荷的光电转换层;第2绝缘膜,其分开配置于上述光电转换元件的上层,具有接触孔;以及导电膜,其经由上述接触孔与上述光电转换元件连接,上述端子区域具备:第1导电层,其设置于上述基板上,包括与上述薄膜晶体管的栅极电极或源极电极相同的材料;端子用第1绝缘膜,其包括与上述第1绝缘膜相同的材料,在上述第1导电层的一部分之上分离开设置,具有开口;端子用半导体层,其设置于上述端子用第1绝缘膜之上,包括与上述光电转换层的至少一部分半导体层相同的材料;以及第2导电层,其包括与上述导电膜相同的材料,以在上述开口中与上述第1导电层接触的方式设置于上述端子用半导体层之上。
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