[发明专利]多晶硅制造装置有效
| 申请号： | 201780080547.9 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110114310B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李熙东;金祉浩;朴成殷;全孝镇 | 申请（专利权）人： | 韩华化学株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027;C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 李奕伯;刘英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的示例性实施例的多晶硅制造装置包括：反应器，在所述反应器中引入反应气体，从而通过化学气相沉积(CVD)方法执行多晶硅制造加工；以及狭缝型喷嘴，所述狭缝型喷嘴安装在所述反应器处，并且在所述反应器内喷射气体以在加工期间防止硅颗粒的吸附。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅制造装置，包括：反应器，在所述反应器中引入反应气体，从而通过化学气相沉积(CVD)方法执行多晶硅制造加工；以及狭缝型喷嘴，所述狭缝型喷嘴安装在所述反应器处，并且在所述反应器内喷射气体以在加工期间防止硅颗粒的吸附。
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