[发明专利]发光器件和光照器件有效
申请号: | 201780082499.7 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN110291640B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | A.G.范德西德;Q.范伍尔斯特瓦德;N.普菲菲尔 | 申请(专利权)人: | 亮锐有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50;H01L33/00;G03B15/03 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 江鹏飞;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 描述了一种分割光或光学功率发射器件和光照器件。分割器件包括具有光或光学功率发射半导体结构的管芯,该光或光学功率发射半导体结构包括设置在n层和p层之间的有源层。沟槽形成在至少半导体结构中并将该管芯分离成可单独寻址的区段。有源层发射具有第一色点或光谱的光或光学功率。至少一个波长转换层与管芯相邻,并将光或光学功率转换为具有至少一个第二色点或光谱的光或光学功率,并且将未被转换的、穿过至少一个波长转换层的泵浦光或光学功率与由光或光学功率发射器件发射的总光或光学功率的能量比限制为小于10%。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 光照 | ||
【主权项】:
1. 一种分割半导体光或光学功率发射器件,包括:包括光或光学功率发射半导体结构的管芯,所述光或光学功率发射半导体结构包括光或光学功率发射有源层,所述光或光学功率发射有源层被配置为发射具有第一色点或光谱的光或光学功率并且设置在n层和p层之间,多个沟槽,所述多个沟槽形成在至少所述光或光学功率发射半导体结构中,所述多个沟槽将所述管芯分离成多个可单独寻址的区段;和与所述管芯相邻的至少一个波长转换层,所述至少一个波长转换层被配置为将由所述至少一个有源层发射的所述光或光学功率转换为具有至少一个与所述第一色点或光谱不同的第二色点或光谱的光或光学功率,并且被配置为将未被转换的、穿过所述至少一个波长转换层的、由所述有源层发射的所述光或光学功率与由所述分割半导体光或光学功率发射器件发射的总光或光学功率的能量比限制为小于10%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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