[发明专利]基体保护膜、附着防止构件及附着防止构件的形成方法有效

专利信息
申请号: 201780083902.8 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN110225895B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 绪方四郎;须田修平;高宫祥太 申请(专利权)人: 星和电机株式会社
主分类号: C03C17/42 分类号: C03C17/42;B08B17/02;B32B7/02;B32B7/023;B32B9/00;C03C17/38
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;霍玉娟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供能够超过基于静电排斥力的降低物质附着的效果地降低物质向基体表面的附着的基体保护膜。在基体1表面上形成包含带电物质并具有静电排斥力的第一层(电荷保持层3),在该第一层的表面上形成对表面自由能进行控制的第二层(由官能团长度小于1nm并且50mJ/m2以下的低表面自由能的官能团形成的官能团层4)。由于通过这样形成基体保护膜2,能够一边保持基体1表面上的静电排斥力,一边降低基于分子间力的物质附着,因此能够超过仅基于静电排斥力的降低物质附着的效果地、降低物质向基体1表面的附着。
搜索关键词: 基体 保护膜 附着 防止 构件 形成 方法
【主权项】:
1.一种基体保护膜,是降低物质向基体的表面附着的基体保护膜,所述基体保护膜的特征在于,所述基体保护膜由包含带电物质并具有静电排斥力的第一层、以及对表面自由能进行控制的第二层构成,所述第一层形成于所述基体表面上,所述第二层形成于该第一层的表面上,所述第二层由50mJ/m2以下的低表面自由能的官能团形成,该第二层的厚度小于1nm。
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